企业简介

1、颠覆式新材料：本项目国际首创，与同类产品相比具有颠覆性的优势，解决了传统光电探测与成像芯片/传感器/系统的以下问题：

①单一材料体系解决了全天时、全天候的问题：单一材料宽光谱范围覆盖0.4-5μm波段（可见、短波红外、中波红外），实现单一材料体系全天时（24h）探测，颠覆了传统多材料、多模块、多系统集成方案；

②非制冷芯片替代高性能制冷芯片：实现了在室温~+200℃高温环境下高性能红外探测，在无需制冷机和散热系统的条件下，保持了成像芯片的高性能，颠覆了传统行业高端高性能材料必须制冷的缺陷；

③小像元、大面阵且可任意面阵/异形订制芯片：填补全球空白的2~5μm像元，可轻易实现640×512~10k×10k以上的红外超高分辨率，芯片大小完全取决于读出电路的大小，可做任意大小的面阵，完全颠覆了传统红外成像不可能小体积、轻质量、低功耗、低成本实现高分辨、大面阵的问题；

④芯片生产制造工艺简单：感光材料端无需任何加工，实现了纳米级感光材料与读出电路的直接耦合，无需光刻机刻蚀微纳电路，避免铟柱沉积及键合绑定（倒装键合工艺），颠覆了传统芯片制造工艺导致的生产工艺复杂、重资产投入、芯片成像规模和分辨率难以提升的问题，实现了大规模、低成本、高性能成像芯片制造的天花板突破；

2、革命性突破技术:

①国际上首创且唯一具备高质量、大面积、宽波段响应薄层黑磷大单晶材料（＞80μm/片）低成本、绿色、轻资产宏量制备技术，包括：弱相互作用主导的大尺寸黑磷单晶批量制备技术、复杂环境下高稳定性黑磷晶体批量钝化技术、黑磷薄膜层厚与均匀度可控制备技术、耐高温环境下黑磷薄膜光电增强探测技术等；  

②国际上首创且唯一具备高质量、大面积、宽波段响应二硫化钼基（掺杂稀土）新型合金材料晶圆低成本宏量制备技术，包括：晶圆级单层硫族化合物层厚严格控制生长技术、晶圆级宽光谱响应二硫化钼基半导体材料批量生长技术、晶圆级宽光谱响应二硫化钼基半导体材料大面积无损转移技术、晶圆级二硫化钼类材料阵列器件制备技术等。

3、全球独创/原创的领先技术：本项目为全球独创/原创，技术全球领先，产品一经发布必定颠覆整个行业，并为国内人工智能技术和装备的发展提速，使系统级产品与技术领先全球。

4、新兴蓝海大市场：本项目产品将全面替代中波制冷红外成像芯片市场，该芯片99%为美欧垄断并对华禁售，该芯片市场规模全球需求达到千亿元，国内需求数百亿元。

5、强大的技术团队：本项目依托西北工业大学、兰州大学、北京大学，技术团队拥有教授2人、副教授2人、博士10人、硕士22人，其中拟专职加入公司团队的教授、副教授共计4人。

6、经验丰富的管理团队：管理团队均有着15年以上的军工、光电探测行业经验，熟知行业发展趋势、拥有丰富的客户资源，并且有着丰富的大中型企业运营管理经验（包括企业规范化管理、内控建设）及IPO经验。

【市场】二维半导体材料可用来制造场效应晶体管、二极管、光电探测器、PN同质结半导体、PN异质结半导体、透明导电电极、忆阻器、LED、太阳能电池、电光催化剂等，在集成电路、半导体、电子电气、显示照明、新能源等领域可应用范围广泛。每一个领域都是百亿甚至千亿/万亿级的市场。随着人工智能技术和装备的发展，作为人工智能装备的“眼睛”，光电探测与成像系统是其核心传感器，其应用增长巨大，而作为系统的核心部件——光电探测与成像芯片，其高端芯片产品几乎全部被欧美垄断并对华禁售，中低端芯片产品基本为红外热成像产品，具有明显的应用缺陷。截至2021年，全球光电探测芯片市场规模约为250亿美元左右。预计到2025年，市场规模将超过360亿美元，市场增长率为8.6%左右。目前中国光电探测器件行业产值达到3345亿元，同比增长17.8%。高端光电探测器件产品已经可以满足国防军工、航空航天、卫星遥感、气象预报、生命医学非侵入检测等高端需求。其中：国内高端光探测芯片市场规模达到86亿元左右，而2025年将达到169亿元左右。

本轮融资5000万，股权释放比例16%。资金用于产品研发，市场拓展以及生产。